直径(mm) | 76.2 - 200 |
直径公差(mm) | X±0.3 |
导电类型/掺杂剂 | N型/P型 |
晶向 | ＜111＞、＜100＞ |
电阻率范围（Ω.cm） | 10～3000 |
径向电阻率变化（%） | ≤20% （五点法） |
氧含量(at cm-3 ) | ≤1×1016 |
碳含量(at cm-3 ) | ≤2×1016 |
厚度及公差(um) | 根据客户要求 |
其他参数： | 按SEMI标准或客户要求 |
关键词：
FZ-GD单晶硅腐蚀片
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直径(mm) | 76.2 - 200 |
直径公差(mm) | X±0.3 |
导电类型/掺杂剂 | N型/P型 |
晶向 | ＜111＞、＜100＞ |
电阻率范围（Ω.cm） | 10～3000 |
径向电阻率变化（%） | ≤20% （五点法） |
氧含量(at cm-3 ) | ≤1×1016 |
碳含量(at cm-3 ) | ≤2×1016 |
厚度及公差(um) | 根据客户要求 |
其他参数： | 按SEMI标准或客户要求 |
关键词：
FZ-GD单晶硅腐蚀片
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