原子级抛光工艺落地硅片表面粗糙度达0.1nm新极限

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　　原子级抛光工艺在半导体制造领域取得了显著进展，成功将硅片表面粗糙度降低至0.1nm这一全新极限。这一工艺的实现，标志着半导体制造技术在追求高精度、高性能方面迈出了重要一步。

　　传统的抛光工艺往往难以满足现代半导体器件对晶圆表面质量的高要求。而原子级抛光工艺，特别是化学机械抛光(CMP)技术，通过结合化学能和机械能的双重作用，实现了晶圆表面的原子级去除。这种工艺利用抛光液中的化学试剂与硅片表面发生化学反应，同时借助纳米磨粒的机械磨削作用，从而在原子水平上去除表面缺陷，获得全局平坦化表面。

　　经过精心优化的抛光参数，如抛光液进给速率、抛光头转速、抛光压力以及抛光时长等，共同作用于硅片表面，使其粗糙度显著降低至0.1nm以下。这一成就不仅提升了硅片的表面质量，还为后续的光刻、蚀刻等工艺提供了更加稳定的基底，有助于提高芯片的最终质量和成品率。

　　总的来说，原子级抛光工艺的落地和应用，是半导体制造技术不断追求精度和性能的结果。这一工艺的突破，不仅满足了现代半导体器件对晶圆表面质量的高要求，也为半导体产业的持续发展注入了新的活力。